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高速InGaAsフォトダイオード High Speed InGaAs PD

  • 高速InGaAsフォトダイオード  High Speed InGaAs PD
  • 高速InGaAsフォトダイオード  High Speed InGaAs PD

メーカー名GPD Optoelectronics

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクターの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。

応用
◆ 光通信
◆ 時間分解蛍光測定
◆ LED/LD時間特性測定
◆ レーザー受光及びレンジファインダ(LADAR)
◆ 光測定及び距離測定(LIDAR)
◆ 自由空間光学系(FSO)

仕様

 
  • GAP60/CS
  • GAP75
  • GAP100
  • GAP300
  • 有効径(μm)
  • 60
  • 75
  • 100
  • 300
  • 感度
  • A/W min. typ.@850nm
0.10(0.20) 0.10(0.20) 0.10(0.20) 0.10(0.20)
  • 感度
  • A/W min. typ.@1300nm
0.80(0.90) 0.80(0.90) 0.80(0.90) 0.80(0.90)
    • 感度
    • A/W min.@1550nm
0.95 0.95 0.95 0.95
暗電流(nA max. (typ.)@5V
0.8(0.3) 0.8(0.3)
  • 1.0(0.5)
  • 5.0(1.0)
容量(pF max.(typ.) @5V
0.7(0.5)/0.5(0.3)-CS 0.8(0.6) 1.2(1.0) 8.0(4.0)
  • バンド幅(GHz min.@5V)
  • 50Ω-3dB
  • 6/10-CS
  • 10
  • 3
  • 0.8
  • 立上/立下時間(ns max. @5V)
  • RL=50Ω
0.06/0/03-CS
  • 0.07
  • 0.1
  • 0.4
NEP(W/√Hz typ.) @1550nm
  • 10.0E-15
  • 10E-15
  • 13E-15
  • 18E-15
パッケージタイプ(標準)

TO-46(改造)

/CS-1

TO-46

(改造)

TO-46

(改造)

TO-46

(改造)

保存温度(℃)
-40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度(℃)
-40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
25 25 25 25
逆電流(mA)
1 10 10 25
順電流(mA)
10 10 10 100

ポイント

  • 小口径:60μm~300μm
  • カットオフ波長:1.7μm
  • 高感度向け低暗電流
  • 高速向け低容量(2.5GHz)
  • パッケージ:ファイバピグテイル、高信頼性ファイバピグテール  付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ

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メーカー紹介GPD Optoelectronics

米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。

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