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4分割InGaAsフォトダイオード InGaAS Quadrant PD

  • 4分割InGaAsフォトダイオード  InGaAS Quadrant PD
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メーカー名非公開: GPD Optoelectronics

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。

応用
◆ ビームアライメント
◆ レーザー誘導
◆ 光ピンセット
◆ ビームプロファイル

仕様

 

GAP500Q

  • GAP1000Q

  • GAP1500Q

  • GAP2000Q

  • GAP3000Q

有効表面径(mm)
0.5 1 1.5 2 3
分割面(mm2)
0.0423 0.184 0.423 0.76 1.73
素子ギャップ(mm)
0.02 0.02 0.02 0.03 0.03
  • クロストーク(%)typ/max
2/5 2/5 2/5 2/5 2/5
  • 波長レンジ(nm)
800~1700 800~1700 800~1700 800~1700 800~1700
ピーク波長(nm)
1600 1600 1600 1600 1600
カットオフ波長(nm)50%
1650 1650 1650 1650 1650
感度(A/W)@λPEAK min/typ
0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95
暗電流(nA)@5V typ/max
0.1/2 0.6/6 1/12 2/22@2V 5/50@2V
シャント抵抗(MΩ)min/typ
390/781 88/176 40/80 23/46 10/20
NEP(fW/Hz1/2)@λPEAK
7 14 21 28 42
接合容量(pF)@0V
4/7 19/31 41/68 72/121 165/275
接合容量(pF)@5V
4/6 8/10 17/22 31/39@2V 70/90@2V
立上/立下時間(ns)@5V typ
0.4 1 2 4 8
パッケージ
TO46 TO46 TO46 TO5 TO5
保存温度
-40~70 -40~70 -40~70 -40~70 -40~70
動作温度
-40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電流(mA)
1 1 1 1 1
順電流(mA)
10 10 10 10 10

ポイント

  • 波長レンジ:800nm~1700nm
  • 有効径:0.5/1.0/1.5/2.0/3.0mm
  • 高感度
  • 高シャント抵抗
  • 低暗電流
  • 高セグメント帯域幅向け低容量
  • 標準パッケージ:TO-5,TO-18

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メーカー紹介非公開: GPD Optoelectronics

米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。

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