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2色サンドイッチフォトダイオード (Two-Color Sandwich PD)

  • 2色サンドイッチフォトダイオード (Two-Color Sandwich PD)
  • 2色サンドイッチフォトダイオード (Two-Color Sandwich PD)

メーカー名非公開: GPD Optoelectronics

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。

応用
◆ 光温度計測
◆ デュアルバンド分光
◆ 火炎モニター
◆ 非接触放射計測

仕様

モデル
有効径
(mm)
  • 波長レンジ
  • (μm)
  • ピーク感度
  • (A/W)
  • 最小シャント
  • 抵抗(MΩ)
  • NEP
  • (pW/Hz1/2)
  • 最大リーク電流
  • (μA)
  • 最大逆
  • バイアス
  • (V)
  • Si
  • GAP9096-1
  • InGaAs

2.6X2.6

1.000

0.4-1.0

1.0-1.7

0.550

0.550

200

20

0.02

0.05

0.002@10V

0.01@1V

50

20

  • Si
  • GAP9096-2
  • InGaAs

2.6X2.6

1

0.4-1.0

1.1-2.05

0.55

0.55

200

0.6

0.02

0.3

0.02@10V

0.01@1V

50

2

  • Si
  • GAP9096-3
  • InGaAs

2.6X2.6

1

0.4-1.0

1.1-2.2

0.55

0.55

200

0.6

0.02

1.5

2@10V

20@1V

50

2

  • Si

    • GAP9096-4

    • InGaAs

2.6X2.6

1

0.4-1.0

1.1-2.6

0.55

0.55

200

0.002

0.02

5

2@10V

25@1V

50

1

    • Si
    • GAP9094-1
    • InGaAs

2.6X2.6

2

0.4-1.0

1.0-1.7

0.55

0.55

200

5

0.020

0.050

0.002@10V

0.1@1V

50

5

  • Si
  • GAP9094-2
  • InGaAs

2.6X2.6

2

0.4-1.0

1.1-2.05

0.55

0.55

200

0.02

0.02

1.6

0.002@10V

30@1V

50

2

Si
  • GAP9094-3
  • InGaAs

2.6X2.6

2

0.4-1.0

1.1-2.2

0.55

0.55

200

0.006

0.02

3

0.002@10V

50@1V

50

1

Si
  • GAP9094-4
  • InGaAs

2.6X2.6

2

04-1.0

1.1-2.6

0.55

0.55

200

500Ω

0.02

10

0.002@10V

50@0.5V

50

0.5

Si
  • GAP9099
  • InGaAs

2

2

0.8-1.5

1.5-1.75

0.9@1.55μm

0.15@1.68μm

5

5

0.06

0.38

0.2@1V

0.2@1V

3

3

Si
  • GAP9116-1
  • InGaAs

2

2

0.8-1.75

1.5-2.1

0.9@1.55μm

0.45@1.90μm

5

0.04

0.06

1.4

0.21V

0.2@1V

3

1

Si
  • GAP9116-2
  • InGaAs

2

2

0.8-1.75

1.5-2.1

0.9@1.55μm

0.45@2.0μm

5

0.006

0.06

3.4

0.2@1V

50@0.5V

3

1

Si
  • GAP9116-3
  • InGaAs

2

2

0.8-1.75

1.5-2.6

0.9@1.55μm

0.5@2.4μm

5

800Ω

0.06

9

0.2@1V

80@0.5V

3

1

ポイント

  • InGaAsの上にSi (1.7, 2.05, 2.2, 2.6μm)
  • 上部受光部有効径:2.0mm又は5.0mm
  • 下部受光部有効径:1mm,2.0mm又は3.0mm
  • InGaAs(1.7,2.05,2.2,2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm)
  • 下部受光部有効径:1mm又は2.0mm
  • 標準パッケージ:TO-5,TO-8

◀︎表は横にスクロールして見ることができます▶︎

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メーカー紹介非公開: GPD Optoelectronics

米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。

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