InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード
メーカー名非公開: OSI optoelectronics
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。
仕様
製品一覧
モデル名 |
アクティブエリア(直径) |
エレメントギャップ |
応答度1310nm |
応答度1550nm |
ダークカレント |
キャパシタンス |
ライズタイム |
クロストーク |
逆電圧 |
パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCI-InGaAs-Q1000 | 1000 μm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 0.5 nA Vr = 5.0V |
25 pF | 3ns Vr = 5.0V |
1 max λ =1550nm Vr=5.0V |
15 V max | FCI-InGaAs-Q1000 |
| FCI-InGaAs-Q3000 | 3000 μm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 2 nA Vr = 5.0V |
225 pF | 24 ns Vr = 5.0V |
1 max λ =1550nm Vr=5.0V |
10 V max | FCI-InGaAs-Q3000 |
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