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Siポジションセンサーフォトダイオード

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メーカー名非公開: OSI optoelectronics

セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。
幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。
横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。

分割型フォトダイオード

osi_Silicon-SegmentedPhotodiode_001

OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。

SPOTシリーズは、2分割か4分割にセグメント化された共通基盤フォトディテクターです。

  • 特徴             応用

  • ・高精度           ・機械工具軸調整
  • ・高分解能          ・位置測定
  • ・高速応答          ・光軸中心位置合わせ
  • ・超低暗電流         ・光表面プロファイル
  • ・対時間・温度高安定度    ・ターゲット
  •                ・システム位置合わせ

製品一覧

 

モデル

  • 有効径
  • (エレメント当たり)
  • エレメント
  • ギャップ
  • 感度(A/W)
  • @970nm

詳細

仕様

面積(mm2) 寸法 min. typ.

2エレメントシリーズ(メタルパッケージ)

 

メーカー製品カタログ

CD-25T 2.3 4.6X0.5 0.2

 

0.60

 

0.65

SPOT-2D 3.3 1.3X2.5 0.127
SPOT-2DMI 0.7 0.6X1.2 0.013
SPOT-3D 2.8 0.6X4.6 0.025

4エレメントシリーズ(メタルパッケージ)

SPOT-4D 1.61 1.3X1.3 0.127

 

0.60

 

0.65

SPOT-4DMI 0.25 0.5X0.5 0.013
SPOT-9D 19.6 10Φ 0.102
SPOT-9DMI 19.6 10Φ 0.010
 

加差動信号アンプモジュール

osi_Silicon-SumAndDifferencAmplifierModules_002

QD7-0-SDまたはQD50-0-SDは、関連付けられた2つの差分信号を提供するための回路と和信号との分割フォトダイオードアレイです。

特徴

  • ・QD50-SDモデルの10μmギャップ可能
  • ・QD7-XXやQD50-XXについてはカスタム対応可能

応用

  • ・位置測定
  • ・光軸中心合わせ
  • ・ターゲット
  • ・システム位置合わせ

メーカー製品カタログ

 

2重横構造フォトダイオード

osi_Silicon-DuoLateralPSDs_001

スーパーリニア位置センサは、アクティブエリア上の中心から光スポットの重心の変位に比例連続アナログ出力を提供します。

特徴

  • ・スーパーリニアリティー
  • ・超高精度
  • ・ワイドダイナミックレンジ
  • ・高信頼性
  • ・2重横構造
  • 応用

  • ・光軸合わせ
  • ・位置センシング
  • ・角度測定
  • ・表面プロファイル
  • ・高さ測定
  • ・ターゲット
  • ・スステム位置合わせ
  • ・動作分析
  • メーカー製品カタログ

 

4重横構造フォトダイオード

osi_Silicon-TetraLateralPSDs_003

4重横位置感知検出器は、両方の1と2次元測定のための単一の抵抗層を用いて製造されています。

特徴

  • ・単一抵抗層構造
  • ・高速対応
  • ・高ダイナミックレンジ
  • ・高分解能
  • ・スポットサイズ計測と形状計測は独立
  • 応用?

  • ・工具アライメント及びコントロール
  • ・レベル測定
  • ・角度測定
  • ・3Dビジョン
  • ・位置測定

 

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メーカー紹介非公開: OSI optoelectronics

OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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