Ti:Sapphire レーザー結晶
メーカー名Crylink
Ti3+: サファイア結晶は波長可変レーザーで広く使用されています。 Ti:Sapphire レーザーの調整可能範囲は 650 ～ 1100nm で、ピークは 800nm です。 これは最も幅広い波長可変レーザー結晶の 1 つです。 Ti:サファイアの励起寿命は3.2msと短く、飽和電力が高いため、ランプで励起するのは困難です。 通常はアルゴンイオンレーザやNd:YAGレーザの2倍波などで励起します。 Ti:サファイアレーザーは自己モードロック技術にて、すべてのレーザーの中で最も狭いレーザーパルスである6.5fsという短いパルス幅のレーザーパルスを直接出力できます。 レーザー光の波長は周波数倍増により青色から深紫外までの広帯域をカバーします。 生成された193 nmレーザーはリソグラフィー装置に使用されています。
仕様
Parameter
| Materials | Ti3+:Al2O3 |
| Concentration | (0.05~0.35) wt% |
| Orientation | A-Axis within 5°，E-vector parallel to C-Axis |
| Parallelism | 30〞 |
| Perpendicularity | 5ˊ |
| Figure of Merit(FOM) | 100~300 |
| Wavefront Distortion | <λ /4@632 nm |
| Surface Flatness | <λ/8@632 nm |
| Clear Aperture | >90% |
| Surface Quality | 10-5(MIL-PRF-13830B) |
| Coatings | Standard coating is AR with R < 5.0% each |
| face @532 nm and R < 0.5% each face, | |
| from 650 nm to 850 nm. Custom coatings | |
| Chamfer | <0.2×45° |
| Crystal Structure | Hexagonal |
| Density | 3.98 g/cm3 |
| Melting Point | 2040 °C |
| Thermal Conductivity | 33 W / (m K) |
| Temperature dependence of refractive index | 13 × 10−6K−1 |
| Thermal shock resistance parameter | 790 W/m |
| Thermal Expansion | ≈ 5 × 10-6K-1 |
| Hardness (Mohs) | 9 |
| Young`s Modulus /GPa | 335 |
| Specific heat | 0.1 cal/g |
| Tensile Strength/Mpa | 400 |
| Diameter | 4-12mm |
| Ti density for 0.1% at. doping | 4.56 × 1019cm−3 |
| Laser Transition | F3/2→F1/2 |
| Laser Wavelength | 660-1200 nm |
| Central emission | 800 nm |
| Turnable Absorption Band | 400-600 nm |
| Absorption peak | 488 nm |
| Emission Cross Section @ 790 nm | 41 × 10-20 cm2 |
| Fluorescence Lifetime | 3.2 ms |
| Emission Linewidth | 650-1100 nm |
| Refractive Index @633 nm | 1.77@ 532 nm; 1.76@800 nm; 1.75@1100 nm |
| Absorption Coefficient | 0.5～6.0 cm-1 |
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