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近赤外広帯域InGaAsフォトダイオード Extended InGaAs PD

メーカー名GPD Optoelectronics

  • 測定機・検出器・試験機
  • フォトダイオード
  • InGaAs (800~2600nm)

GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求(TA-NWT-00093)、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。

応用
◆ ガスセンシングモニター
◆ 炭化水素センサー
◆ 炎/スパーク検出
◆ FTIR
◆ 分光

仕様

2.05μm近赤外InGaAsフォトダイオード 一覧
  • GAP300/2.05
  • GAP500/2.05
  • GAP1000/2.05
  • GAP2000/2.05
  • GAP3000/2.05
  • 有効径(mm)
  • 0.3
  • 0.5
1.0
  • 2.0
  • 3.0
  • ピーク波長(μm) typ.
1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1 1.8±0.1
  • カットオフ波長(μm)50%
2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1 2.05±0.1
    • 感度
    • A/W min(typ.)
    • p
0.9

(1.0)

0.9

(1.0)

0.9

(1.0)

0.9

(1.0)

0.95

(1.1)

シャント抵抗(Ω)min. (typ.)
2M

(5M)

1M

(2.5M)

  • 0.3M(min.)
  • 90K(min.)
15K

(20K)

暗電流(μA) max.
0.5@1V 1@1V 4@1V 10 12@0.5V
容量(pF) typ.@0V
80 250 500 1600 4000
  • バンド幅 (MHz)
  • W/50Ω@0V
  • typ.
  • 40
12.7
  • 6.4
2 0.8
  • 立上時間(ns)
  • w/50Ω@0V
  • typ.
9
  • 27.5
  • 55
176 440
NEP(W/Hz1/2 )@λPEAK typ.
5.7X10-14 8.1X10-14 23.4X10-14 24.8X10-14 90.7X10-14
  • リニアリティー(dBm)
  • ±0.2dB@0V
6 6 6 6 6
パッケージタイプ(標準)
TO-46 TO-46 TO-46 TO-5 TO-5
保存温度(℃)
-40~125 -40~125 -40~125 -40~125 -40~125
動作温度(℃)
-40~85 -40~85 -40~85 -40~85 -40~85
逆電圧(V)
2 2 2 2 1
逆電流(mA)
10 10 10 10 10
順電流(mA)
10 10 10 10 10
電力損失(mW)
50 50 50 50 50

ポイント

  • 有口径:0.3mm~3mm
  • カットオフ波長:1.9μm, 2.05μm,2.2μm,2.6μm,
  • 高シャント抵抗
  • 各種レンズ選択可能:両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ
  • パッケージ:TO-46, TO-18, TO-5

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ブランド紹介GPD Optoelectronics

米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。

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