低偏波依存性損失(Low PDL) InGaAs フォトダイオード
メーカー名GPD Optoelectronics
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
GPDは1973年以降、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオードを製造し、1985年からは赤外フォトディテクタの製造を開始しました。Ge、p-n、APDや高速InGaAsピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用の大面積の光検出器等が製品群です。 GPDはMIL-I-45208に従った検査システム、フォトダイオードはTelcordiaのテスト要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883の試験方法を導入しています。または顧客仕様の要求に対応致します。
応用
◆ バックファセットレーザーダイオードモニタ
◆ 偏光依存確認（ファイバ，コネクタ）
◆ LD/LEDテスト＆計測
◆ 光パワーメータ
ポイント
- 有効径0.3-5mm
- 高感度
- カットオフ周波数（1.7um）
- 低偏波依存性損失(Low PDL)
- コネクター付可能（FC, SC, ST, SMA）
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ブランド紹介GPD Optoelectronics
米国 GPD Optoelectronics 社は高速ゲルマニウムトランジスタおよびレーザダイオードの製造メーカとして40年以上に渡り製品を供給しております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。
米国内の生産拠点にて、リソグラフィ、エッジング、ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、極低温測定 等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立しております。特に光通信波長帯のPDは実績が高く、異なるディテクタを一つのパッケージに搭載したサンドイッチ型や位置センサ用4分割PDなど特殊品もリリースしております。
