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GaAsフォトダイオード

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メーカー名OSI optoelectronics

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。一般的に400から850nmに感度があります。

osi_GaAs-Photodiode-Arrays_001

  • FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用に
  • デザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。
 

フォトダイオードアレイ

仕様

モデル名
アクティブエリア
応答性
キャパシタンス
ダーク
カレント
最大逆電圧
最大フォワードカレント
バンド幅
ブレイクダウン
電圧
パッケージ
FCI-GaAS-4M
70um 0.63 A/W
850nm
0.65 pF 0.03 nA 20 V max 5 mA 2 GHz
850 nm
50 V FCI-GaAS-4M
FCI-GaAS-12M
70um 0.63 A/W
850nm
0.65 pF 0.03 nA 20 V max 5 mA 2 GHz
850 nm
50 V FCI-GaAS-12M

 

メーカー製品カタログ

 

osi_GaAs-Photodiode-Amplifier-Hybrid_002 FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズは、アクティブエリアサイズ100μmの高範囲トランスインピーダンスアンプを備えたコンパクト高速GaAsフォトディテクタです。

 

ダイオード アンプハイブリッド

仕様

モデル名
アクティブエリア
提供電圧
提供電流
オペレーティング波長
応答性
トランスインピーダンス
感度
バンド幅
低周波数カットオフ
差動出力
FCI-H125G-GaAs-100
100μm +3 to +5.5 V

26 mA

0 to +70°C

650-860 nm

1700 V/M

-17dBm

2800 Ω

-17dBm

-26 dBm

BER 10-10 PRBS27-1

900 MHz

-3dB

45 kHz

-3dB

250 mV p-p

-3dBm

FCI-H250G-GaAs-100
100μm +3 to +5.5 V

35 mA

0 to +70°C

650-860 nm

1650 V/M

-17dBm

2800 Ω

-17dBm

-22 dBm

BER 10-10 PRBS27-1

1700 MHz

-3dB

30 kHz

-3dB

400 mV p-p

-3dBm

メーカー製品カタログ

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メーカー紹介OSI optoelectronics

OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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