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該当製品数18件
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Siはんだ付け可能チップフォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆感度範囲:400nm~1100nm
- ◆はんだ付け可能チップフォトダイオード
- ◆太陽電池等
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
- ベアチップ
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InGaAsフォトダイオードアレイ
非公開: OSI optoelectronics
- ◆アレイタイプ(フォトダイオード)
- ◆高応答性で2.5Gbpsデータレート可能
- ◆高速IR感度フォトディテクター
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
- アレイ
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Nd-YAG最適化フォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆YAGレーザー出力光の位置検出用
- ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード
◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- 1060nm 用
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InGaAs高速フォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆高速70μm InGaAsフォトディテクター
- ◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
- ◆高速シグナルディテクション+アンプ
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
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シリコンアバランシェフォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆シリコンアバランシェフォトダイオード
- ◆優れた感度・高い応答デバイス
- ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
- APD
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InGaAs PD & TIA ハイブリッド
非公開: OSI optoelectronics
- ◆低ノイズトランスインピーダンスアンプ
- ◆広いバンド幅/広いダイナミックレンジ
- ◆波長レンジ:1100nm~1650nm
- ◆差動出力
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
- TIA
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X線・UV放射光検出器
非公開: OSI optoelectronics
- ◆X線からUVの領域に感度特性のあるディテクター
- ◆感度領域は、200nm ~ 0.07nm (6eV to 17.6keV)
◆シンチレーターやスクリーン無使用
◆真空互換性あり
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- UV, X線 用
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紫外 +可視光 波長用フォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ
- ◆波長感度は200nmから1100nm
- ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- UV, X線 用
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Si InGaAs二色サンドイッチフォトディテクタ
非公開: OSI optoelectronics
◆標準的な黒体放射曲線との比較により遠隔温度測定
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
- InGaAs (800~2600nm)
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InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆ラージアクティブエリア
- ◆ビームの移動確認等に最適
- ◆センサー用途
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
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Siポジションセンサーフォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
◆1次元または2次元アクティブ領域効果
◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能
◆ポジションセンシング- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
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Siプラスチックカプセルフォトダイオード
非公開: OSI optoelectronics
- ◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード
- ◆高品質、高信頼性
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)