測定機・検出器・試験機に含まれる
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該当製品数150件
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FTB-5600 分布型 PMD アナライザ
EXFO Inc.
◆ファイバ長さ方向のPMD分布を表示
◆PMD値が悪い区域の特定が可能
◆高ビットレート伝送の検証- 測定機・検出器・試験機
- 光通信用:測定機・検出器・試験機
- Beyond 5G・Post 5G
- その他
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Si APD フォトディテクタ モジュール
LD-PD INC
◆低ノイズ・高利得
◆高電圧パワーサプライ内蔵
◆温度補償機能付
◆コンパクトサイズ (65mm x 50mm x 25mm)- 測定機・検出器・試験機
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- フォトレシーバ
- Si (200~1100nm)
- APD
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InGaAs APD フォトディテクタ モジュール
LD-PD INC
◆低ノイズ・高利得
◆高電圧パワーサプライ内蔵
◆温度補償機能付
◆コンパクトサイズ (65mm x 50mm x 25mm)- 測定機・検出器・試験機
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- フォトレシーバ
- InGaAs (800~2600nm)
- APD
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Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)
LD-PD INC
◆逆バイアス状況下で駆動
◆大口径、四角形も標準ラインナップ
◆低ダークカレント
◆高信頼性- 測定機・検出器・試験機
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
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25Gbps PIN PD ベアチップ InGaAs/InP
WOORIRO
◆底面集積型 InGaAs/InP PIN-PD
◆同一平面上にGSGコンタクトパッドを搭載
◆高信頼性セミプレーナー構造
◆低コスト- 光通信
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- TOSA・ROSA/アッセンブリ
- InGaAs (800~2600nm)
- ベアチップ
- VCSEL・PIN PD・APD
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GaAs PIN-フォトダイオード PIN-PD ベアチップ
Optowell
◆ 850nm用 GaAs PINフォトダイオード
◆ 2.5Gbpsから25Gbpsまでを標準ライナップ
◆ シングルチップ、アレイチップ(1×4、1×12)
◆ 高感度/低ノイズ- 光通信
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- TOSA・ROSA/アッセンブリ
- GaAs (600~900nm)
- ベアチップ
- VCSEL・PIN PD・APD
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Siはんだ付け可能チップフォトダイオード
OSI optoelectronics
- ◆感度範囲:400nm~1100nm
- ◆はんだ付け可能チップフォトダイオード
- ◆太陽電池等
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
- ベアチップ
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InGaAsフォトダイオードアレイ
OSI optoelectronics
- ◆アレイタイプ(フォトダイオード)
- ◆高応答性で2.5Gbpsデータレート可能
- ◆高速IR感度フォトディテクター
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
- アレイ
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Nd-YAG最適化フォトダイオード
OSI optoelectronics
- ◆YAGレーザー出力光の位置検出用
- ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード
◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能
◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- 1060nm 用
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InGaAs高速フォトダイオード
OSI optoelectronics
- ◆高速70μm InGaAsフォトディテクター
- ◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合
- ◆高速シグナルディテクション+アンプ
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
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シリコンアバランシェフォトダイオード
OSI optoelectronics
- ◆シリコンアバランシェフォトダイオード
- ◆優れた感度・高い応答デバイス
- ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- Si (200~1100nm)
- APD
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InGaAs PD & TIA ハイブリッド
OSI optoelectronics
- ◆低ノイズトランスインピーダンスアンプ
- ◆広いバンド幅/広いダイナミックレンジ
- ◆波長レンジ:1100nm~1650nm
- ◆差動出力
- 測定機・検出器・試験機
- フォトダイオード
- InGaAs (800~2600nm)
- TIA